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器件科技

综述:二维过渡金属硫化物在FET中的载流子迁移率

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Nano-Micro Letters 发布于 2017-08-30

 论文概述二维材料具有一系列优异的电学、热学、力学和光学性能,近年来受到研究者们极大的关注与研究热情。石墨烯是研究最为广泛的二维材料,然而石墨烯的零带隙特性阻碍其在电子器件领域的应用。例如高性能场效应晶体管(FET)器件,需要同时满足高载流子迁移率、良好的欧姆接触、合适的带隙(~...

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