韩国材料科学研究院Byeongjin Park等：基于M型铁氧体的宽频吸收型毫米波电磁屏蔽薄膜

内容简介

毫米波范围内的宽频电磁波屏蔽性能对于电子设备稳定性和人体健康尤为重要。韩国材料科学研究院的Byeongjin Park等人基于过渡金属掺杂的M型锶铁氧体复合层和导电网格的可控构筑，制备了宽频吸收型毫米波电磁屏蔽复合膜。通过控制和调节M型锶铁氧体的铁磁相应频率和复合材料的几何形状，实现了复合膜在宽频毫米波范围和亚毫米厚度下的超低电磁波反射率(低于5%)，且能够屏蔽99.9%的电磁波。本工作制备的超薄和超低反射电磁屏蔽复合薄膜，为5G毫米波的屏蔽材料开发提供了一种研究思路和解决方案。

图文导读

I 过渡金属掺杂M型锶铁氧体的微结构

深入研究过渡金属掺杂对锶铁氧体的晶形结构的影响具有重要意义。如图1所示，所有样品的XRD衍射峰均和空间群为P63/mmc的六方结构M型单相结构相对应。掺杂Co-Ti的SrMs的晶格常数在不同掺杂浓度下保持不变，而掺杂Al的SrMs的晶格常数随着掺杂浓度的增加而降低。主要归因于Co²⁺和Ti⁴⁺的离子半径分别为0.745 Å和0.605 Å，其共替代物的平均半径为0.675 Å，与Fe³⁺的离子半径(0.645 Å)相近。而Al³⁺的离子半径为0.535 Å，仅为Fe³⁺半径的83%，导致晶格结构塌缩。