Al/TiO2纳米线/Ti阻变存储器的水热法简易合成及性能

阻变存储器(ReRAM)是利用可电场诱导电阻变化现象的一种信息存储器,作为下一代非易失性存储器件具有简单的金属/绝缘体/金属三明治结构、高存储密度、高运行速度等优点。最近发现单根TiO2纳米线的ReRAM具有多级存储行为,但是在金电极上合成单根纳米线工艺复杂且成本高。加拿大滑铁卢大学的Normal Y. Zhou课题组用简单的一步水热法在钛箔上生成了二氧化钛纳米线网络结构,用电子束蒸发Al后,形成了Al/TiO2纳米线网/Ti的三明治结构的器件。此器件具有很高的可重复性和保持长达1万秒的无电形成双极电阻行为,且开关比约为70。此结构器件的开关机制可理解为外加电场后氧空位的迁移引起。此工作为制备金属氧化物纳米线ReRAM提供了一种创新方法。论文发表在Nano-Micro Letters第9卷第2期。详情请阅读全文。

全文链接:http://link.springer.com/article/10.1007/s40820-016-0116-2

论文引用信息:

Ming Xiao, Kevin P. Musselman, Walter W. Duley, Norman Y. Zhou, Resistive Switching Memory of TiO2 Nanowire Networks Grown on Ti Foil by a Single Hydrothermal Method. Nano-Micro Lett. (2017) 9: 15.

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