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器件科技

Al/TiO2纳米线/Ti阻变存储器的水热法简易合成及性能

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NMSCI 发布于 2017-01-16

阻变存储器(ReRAM)是利用可电场诱导电阻变化现象的一种信息存储器,作为下一代非易失性存储器件具有简单的金属/绝缘体/金属三明治结构、高存储密度、高运行速度等优点。最近发现单根TiO2纳米线的ReRAM具有多级存储行为,但是在金电极上合成单根纳米线工艺复杂且成本高。加拿大滑铁卢...

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