Al2O3缓冲层对原子层沉积溅射VO2薄膜性能的影响

论文概述

VO2在接近室温下(65 ℃)会发生相变(M相→R相),从而导致其电学和光学性能发生显著改变。这种金属-绝缘体转变的特性在电磁波调制器、开关、全息存储、THz波长器件等电子器件领域具有广阔的应用前景。通常,在Si/SiO2基底上制备生长VO2薄膜,而两者之间的点阵错配、氧扩散往往导致薄膜质量下降。鉴于此,电子科技大学文天龙副教授课题组利用原子层沉积方法,在硅基底上溅射了VO2,并在VO2薄膜与Si基体之间引入了一层Al2O3缓冲层。与直接沉积的VO2薄膜相比,缓冲层的引入大大提高了物理性能。此外,发现Al2O3缓冲层能降低电驱动相变过程中的漏电流和焦耳热。
文章引用信息
Dainan Zhang. Tianlong Wen . Ying Xiong . Donghong Qiu . Qiye Wen, Effect of Al2O3 Buffer Layers on the Properties of Sputtered VO2 Thin Films. Nano-Micro Lett. (2017) 9:29:1–8http://dx.doi.org/10.1007/s40820-017-0132-x此工作发表于Nano-Micro Letters期刊2017年第9卷第3期,详情请阅读全文,可免费下载全文。本文同步在期刊微信、微博、科学网博客、APP、Facebook、twitters等平台推出。以往推文请关注中文推广网站(http://nmsci.cn)。作者介绍

电子科技大学微电子与固体学院,副教授,华盛顿大学(西雅图)博士,卡耐基梅隆大学博士后。在ACS Nano, Adv. Mater.,  Nano Lett. 等期刊上发表论文近30篇。4次担任国际磁性与磁性材料会议 (MMM conference) 纳米颗粒点阵分会主席,Journal of Optics and Photonics 杂志编委.
研究领域:纳米颗粒合成、自组装、微细加工及器件。

 

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