标签:原子层沉积

电化学

Al2O3缓冲层对原子层沉积溅射VO2薄膜性能的影响

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NMSCI 发布于 2017-03-20

论文概述 VO2在接近室温下(65 ℃)会发生相变(M相→R相),从而导致其电学和光学性能发生显著改变。这种金属-绝缘体转变的特性在电磁波调制器、开关、全息存储、THz波长器件等电子器件领域具有广阔的应用前景。通常,在Si/SiO2基底上制备生长VO2薄膜,而两者之间的点阵错配、...

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