高场阳极氧化法在硅衬底上快速生长高有序TiO2纳米管阵列

1999年高有序TiO2纳米管阵列的电化学阳极氧化法生长被首次报道后,发现此方法制备的纳米管阵列在防腐蚀、传感器、染料敏化太阳能电池、光催化、生物医学和锂离子电池等等诸多领域具有潜在的应用。迄今为止,在钛箔和合金等表面成功合成了TiO纳米管阵列,尤其考虑实际应用后,在ITO和硅表面合成TiO2纳米管阵列尤为重要。而目前的一些报道都是采用较低的阳极氧化电压下合成,在较高的阳极氧化电压下合成高有序、高质量的TiO2纳米管阵列仍然是一种挑战。上海交通大学的郑茂俊教授课题组发明了一种简单易行的在较高电场(90-180 V)下,在硅表面阳极氧化生长高度有序TiO2纳米管阵列的方法,并研究了阳极氧化时间、电压、氟化物含量等对形成纳米管阵列的影响,优化了合成条件。研究发现TiO2纳米管阵列的生长速率在高场下显着提高,与低场(40-60V)相比快了8倍,而且纳米管的长度和生长速率随着电解质中氟化物含量的增加而增加。此工作发表在Nano-Micro Letters 第9卷第2期。详情请阅读全文。

全文链接:http://link.springer.com/article/10.1007/s40820
-016-0114-4

论文引用信息:

Jingnan Song, Maojun Zheng, Bin Zhang,Qiang Li, Faze Wang, Liguo Ma,Yanbo Li,  ChangqingZhu, Li Ma, Wenzhong Shen, Fast growth of highly ordered TiO2  nanotube arrays on Si substrate  under high-field anodization. Nano-MicroLett. (2017) 9: 13. http://dx.doi.org/10.1007/s40820-016-0114-4.

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